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ライフタイム測定

世界で唯一の非接触(光伝導減衰法)シリコンインゴットライフタイム測定器

製品名:HF-90R

製品イメージ(お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です)

  • ライフタイム測定

製品の特長

  • サンプルはJISタンザク形状での測定(単結晶シリコン)
  • 光伝導減衰法による非接触式測定
  • オシロスコープとPC(専用ソフトウェア)により、データ処理

測定仕様

測定対象

シリコンインゴット、シリコンバルク、JISタンザク形状

測定サイズ

JISタンザク形状(お問合せください)

測定範囲

100 ~ 5,000μS程度
(抵抗率 10~5kΩ・cmの範囲)

JIS法(直流法)によるシリコンインゴットのライフタイム測定器

製品名:HF-100DCA

製品イメージ(お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です)

  • ライフタイム測定

製品の特長

  • サンプルは、シリコンバルク、JISタンザク形状、インゴット状態での測定 (単結晶・多結晶シリコン)
  • 直流法による接触式測定
  • オシロスコープとPC(専用ソフトウェア)により、データ処理

測定仕様

測定対象

シリコンインゴット、シリコンバルク、JISタンザク形状

測定サイズ

シリコンインゴット、JISタンザク形状(お問合せください)

測定範囲

50μS ~ 20mS程度

μ-PCD法によるシリコンウエハ・ブリック用のライフタイム測定システム

製品名:HF-300

製品イメージ(お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です)

  • ライフタイム測定
  • ライフタイム測定

製品の特長

  • 非接触・非破壊でのライフタイム測定
  • 単結晶・多結晶の両方のシリコンサンプルに対応
  • サンプル多点測定、マッピングイメージ表示対応
  • 専用のパッシベーションカプセル付属(ウエハ用)

測定仕様

測定対象

単結晶/多結晶シリコンウエハ、ブリック(バルク)

測定サイズ

[ウエハ]<角型> ~210 x 210mm
<円型> ~200mmφ
[ブリック]Max. 210(W)×210(H)×500(D)mm

測定範囲

0.1μS ~ 1,000μS
(測定対象の抵抗率範囲; 0.1 ~ 1k Ω・cm)

<測定レーザーユニット>タイプ:半導体レーザーダイオード、
波長:905nm(ウエハ用)/1,000nm(ブリック用)、ピーク電力:60W、パルス幅:80nS